Tấm wafer được làm từ silicon nguyên chất (Si). Thường được chia thành các thông số kỹ thuật 6 inch, 8 inch và 12 inch, tấm bán dẫn được sản xuất dựa trên tấm bán dẫn này. Các tấm silicon được chế tạo từ chất bán dẫn có độ tinh khiết cao thông qua các quá trình như kéo và cắt tinh thể được gọi là tấm wafer vìsử dụng chúng có hình dạng tròn. Các cấu trúc phần tử mạch khác nhau có thể được xử lý trên các tấm silicon để trở thành sản phẩm có đặc tính điện cụ thể. sản phẩm mạch tích hợp chức năng. Tấm wafer trải qua một loạt quy trình sản xuất chất bán dẫn để tạo thành cấu trúc mạch cực nhỏ, sau đó được cắt, đóng gói và thử nghiệm thành chip, được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử khác nhau. Vật liệu wafer đã trải qua hơn 60 năm phát triển công nghệ và phát triển công nghiệp, hình thành nên một nền công nghiệp bị thống trị bởi silicon và được bổ sung bởi các vật liệu bán dẫn mới.
80% điện thoại di động và máy tính trên thế giới được sản xuất tại Trung Quốc. Trung Quốc phụ thuộc vào nhập khẩu 95% chip hiệu suất cao, vì vậy Trung Quốc chi 220 tỷ USD mỗi năm để nhập khẩu chip, gấp đôi lượng dầu nhập khẩu hàng năm của Trung Quốc. Tất cả các thiết bị và vật liệu liên quan đến máy quang khắc và sản xuất chip cũng bị chặn, chẳng hạn như tấm wafer, kim loại có độ tinh khiết cao, máy khắc, v.v.
Hôm nay chúng ta sẽ nói ngắn gọn về nguyên lý tẩy tia UV của máy bán dẫn. Khi ghi dữ liệu, cần phải nạp điện tích vào cổng nổi bằng cách cấp điện áp cao VPP vào cổng, như hình bên dưới. Vì điện tích được bơm vào không có năng lượng để xuyên qua bức tường năng lượng của màng oxit silicon nên nó chỉ có thể duy trì hiện trạng nên chúng ta phải cung cấp cho điện tích một lượng năng lượng nhất định! Đây là lúc cần đến tia cực tím.
Khi cổng nổi nhận được bức xạ cực tím, các electron trong cổng nổi nhận được năng lượng của lượng tử ánh sáng cực tím và các electron trở thành electron nóng có năng lượng xuyên qua bức tường năng lượng của màng oxit silicon. Như thể hiện trong hình, các electron nóng xuyên qua màng oxit silicon, chảy đến chất nền và cổng rồi trở về trạng thái bị xóa. Thao tác xóa chỉ có thể được thực hiện bằng cách chiếu tia cực tím và không thể xóa bằng điện tử. Nói cách khác, số bit chỉ có thể thay đổi từ "1" thành "0" và theo hướng ngược lại. Không có cách nào khác ngoài việc xóa toàn bộ nội dung của con chip.
Chúng ta biết rằng năng lượng của ánh sáng tỉ lệ nghịch với bước sóng của ánh sáng. Để các electron trở thành electron nóng và có năng lượng xuyên qua màng oxit thì việc chiếu xạ ánh sáng có bước sóng ngắn hơn tức là tia cực tím là rất cần thiết. Vì thời gian xóa phụ thuộc vào số lượng photon nên thời gian xóa không thể rút ngắn ngay cả ở bước sóng ngắn hơn. Nói chung, quá trình xóa bắt đầu khi bước sóng khoảng 4000A (400nm). Về cơ bản nó đạt độ bão hòa khoảng 3000A. Dưới 3000A, ngay cả khi bước sóng ngắn hơn, nó sẽ không ảnh hưởng đến thời gian xóa.
Tiêu chuẩn để xóa tia UV nói chung là chấp nhận các tia cực tím có bước sóng chính xác 253,7nm và cường độ ≥16000 μ W /cm². Thao tác xóa có thể được hoàn thành sau thời gian phơi sáng từ 30 phút đến 3 giờ.
Thời gian đăng: 22-12-2023